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輸出高電平電壓V<Sub>OH</Sub> 半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.1條

百檢價：電議

支持報告類型：電子報告、紙質報告

支持報告語言：中文報告、英文報告、中英文報告

報告蓋章資質： CMA；CNAS

服務周期： 3-10個工作日（特殊樣品除外）

服務地區：全國

檢測用途：電商平臺入駐；商超賣場入駐；產品質量改進；產品認證；出口通關檢驗等

取樣方式：快遞郵寄或上門取樣

樣品要求：樣品數量及規格等視檢測項而定

限企業

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檢測項目：

服務詳情

檢測標準

檢測項目	檢測標準號	檢測方法名	限制說明
輸出高電平電壓V<Sub>OH</Sub>	SJ/T 10739-1996	半導體集成電路MOS隨機存儲器測試方法的基本原理 SJ/T10739-1996 第2.1條	只測電壓： -1V～+6V 電流： -200mA～+200mA 最大1024通道；電源電流： 0mA～+15A 最高頻率： 0Hz～2GHz；僅適用于特定用戶的特定產品

服務簡介

服務范圍：GB、GB/T、FZ/T品控檢測、各類電商平臺、商超賣場入駐質檢。

服務流程

合作機構資質

報告樣例

平臺優勢

百檢介紹

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