高溫柵極偏置 半導體器件-分立器件-第8部分: 場效應晶體管 IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 7.3.2
高溫柵極偏置 半導體器件-分立器件-第8部分: 場效應晶體管 IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 7.3.2
百檢價： 電議
支持報告類型： 電子報告、紙質報告
支持報告語言： 中文報告、英文報告、中英文報告
報告蓋章資質： CMA；CNAS
服務周期： 3-10個工作日（特殊樣品除外）
服務地區： 全國
檢測用途： 電商平臺入駐；商超賣場入駐；產品質量改進；產品認證；出口通關檢驗等
取樣方式： 快遞郵寄或上門取樣
樣品要求： 樣品數量及規格等視檢測項而定
限企業
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服務詳情
檢測標準
| 檢測項目 | 檢測標準號 | 檢測方法名 | 限制說明 |
|---|---|---|---|
| 高溫柵極偏置 | IEC 60747-8 | 半導體器件-分立器件-第8部分: 場效應晶體管 IEC 60747-8 Ed. 3.0 :2010 7.3.2 | 只測：電壓≤30V，溫度≤200℃ |
服務簡介
服務范圍：GB、GB/T、FZ/T品控檢測、各類電商平臺、商超賣場入駐質檢。
服務流程
合作機構資質
報告樣例
平臺優勢
百檢介紹
相關標準
《GB/T29332-2012》半導體器件 分立器件 第 9 部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
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《GB/T4023-2015》半導體器件 分立器件和集成電路第2部分：整流二極管
《GB/T6571-1995》半導體器件 分立器件第3部分：信號（包括開關）和調整二極管
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