作者:宋檢 時間:2022-12-09 來源:互聯(lián)網(wǎng)
為開辟硅基電子器件之外的新途徑,基于量子材料的新器件研究成為前沿?zé)狳c(diǎn)。作為量子材料的重要分支,二維量子材料厚度只有原子級且量子效應(yīng)顯著,大面積、高質(zhì)量的二維單晶制備是實現(xiàn)二維器件規(guī)模化應(yīng)用的核心關(guān)鍵,然而晶格的非中心反演對稱性給二維單晶生長帶來了*大挑戰(zhàn)。
在量子調(diào)控與量子信息重點(diǎn)專項資助下,北京大學(xué)劉開輝課題組與合作者設(shè)計出一種具有特殊臺階方向的非中心反演對稱性的單晶晶面Cu(110)/<211>,利用其臺階邊緣與六方氮化硼晶疇中硼型和氮型鋸齒形邊界耦合強(qiáng)度的能量差打破晶疇在襯底表面取向的對稱性,從而實現(xiàn)對六方氮化硼晶疇單一取向的控制生長,并無縫拼接為分米級單晶薄膜。研究還結(jié)合原位生長技術(shù)與理論計算對生長過程進(jìn)行了深入動力學(xué)研究,提出了全新的生長機(jī)理。該研究工作提供了一種制備二維單晶的普適方法,為二維器件規(guī)模化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
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