作者:百檢網 時間:2021-09-15 來源:互聯網
D-SIMS分析如何做?動態二次離子質譜技術(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry,D-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術,根據二次離子的質量來測定元素種類,具有*高分辨率和檢出限的表面分析技術。
1,鑒別在金屬、 玻璃、陶瓷、薄膜或粉末表面上的無機物層或有機物層。
2,氧化物表層、腐蝕膜、瀝濾層和擴散層沿深度的濃度分布。
3,經擴散或離子注入到半導體材料中的微量摻雜劑(≤1000ppm)沿深度的濃度分布。
4,在脆化金屬合金、氣相沉積薄膜、水合玻璃和礦物質中的氫濃度和氫沿深度的分布。
5,定量分析固體中的痕量元素。
6,分析地質樣品和含銀樣品中的同位素豐度。
7,用同位素富集材料進行示蹤研究(如研究擴散和氧化)。
8,礦物質、多相陶瓷和金屬中的相分布。
9,由晶界偏析、內氧化或沉淀引起的第二相分布。
3ASTM E1504-2011次級離子質譜法(SIMS)中質譜數據報告的標準實施規程
4ASTM E1880-2006用次級離子質譜法(SIMS)對組織低溫部分分析規程
**STM E1881-2006用次級離子質譜法(SIMS)對細胞培養分析指南
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