OBIRCH
作為一種新型的高分辨率微觀缺陷定位技術,能夠在大范圍內迅速準確地進行器件失效缺陷定位,基本上,只要有
原理:用激光束在通電恒壓下的LED芯片表面進行掃描,激光束部分能量轉化為熱能,如果LED芯片存在缺陷點,缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開,這將導致缺陷處溫度累計升高,并進一步引起金屬線電阻以及電流變化,通過變化區域與激光束掃描位置的對應,定位缺陷位置。該方法常用于LED芯片內部高阻抗及低阻抗分析,芯片漏電路徑分析。
金鑒實驗室LED芯片失效點分析(Obirch+FIB+SEM)檢測報告!
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