電磁兼容性和無線電頻譜事項(ERM)；超低功率有源醫用膜植入物和附件的無線電設備，頻率范圍為30兆赫至37，5兆赫。第2部分：統一EN，涵蓋R&TTE指令第3.2條的基本要求。

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本文件適用于指令90/385/EEC[I.4]中所述的超低功率有源醫用膜植入物和膜植入外皮，涵蓋在30兆赫至37，5兆赫的醫用種植體通信系統中工作的所有有源醫療植入物。表1：在30 MHz至37兆赫至37兆赫的頻段工作的超低功率有源醫用膜植入物和外圍設備-5兆赫超低功率有源醫用膜植入物和外圍設備-服務頻帶發射機-超低功率有源醫用膜植入物和外圍設備-30兆赫至37，5兆赫接收機-超低功率有源醫用膜植入物和外圍設備-30兆赫至37，5兆赫。

本文件載有與CE/ERC建議70-03附件12 Sub-帶(D)相一致的ULP-AMI-M和ULP-M-P無線電設備特性的技術要求[I.6]。根據2013/752/EU[I.10]，30兆赫至37兆赫波段的頻率使用條件與SRD類別“主動植入醫療設備”[I.10]的頻率使用條件進行了廣泛協調：“這套使用條件僅適用于指令90/385/EEC中關于主動植入式醫療設備的定義范圍內用于血壓測量的超低功率醫用膜植入物。

”本文件要求證明用于醫用膜植入通信系統的超低功率有源醫用膜植入物和外圍設備“…的構造應使其既有效地利用和支持有效利用無線電頻譜，以避免有害干擾”(第2014/53/EU[一.1]號指令第3.2條)。它不一定包括用戶可能需要的所有特性，也不一定代表可以實現的*佳性能。

文獻歷史

2017年1月9日

短程設備(SRD)；超低功率有源醫用膜植入物(ULP-AMI-M)和在30 MHz至37，5 MHz頻率范圍內工作的外圍設備(ULP-AMI-M-P)；統一標準，涵蓋2014/53/EU號指令第3.2條的基本要求

本文件適用于指令90/385/EEC[I.4]中所述的超低功率有源醫用膜植入物和膜植入外植體。