作者:百檢網(wǎng) 時間:2021-11-11 來源:互聯(lián)網(wǎng)
1. 生長晶體尺寸:晶體直徑為30  60 mm范圍,晶體長度為200 mm。 2. 晶體生長爐溫度場: <1> 晶體生長爐分為三部分加熱,上、下區(qū)采用電阻加熱模式,中間區(qū)采用高頻感應(yīng)加熱模式。 <2> 中間高頻感應(yīng)區(qū)域為晶體生長區(qū)。上、下電阻加熱區(qū)域分別為晶體預(yù)熱區(qū)和晶體退火區(qū),高度都為300 cm。 <3> 晶體生長過程的溶解面和結(jié)晶面的溫度范圍為600 ℃~1000 ℃。 <4> 晶體的溶解面和結(jié)晶面的溫度梯度范圍為0~60 ℃/cm。 <5> 溶劑區(qū)高度范圍為20~60 mm。 <6> 晶體生長爐膛內(nèi)部溫場穩(wěn)定,徑向溫度梯度 ±0.5 ℃。 <7> 三部分加熱區(qū)域模塊化,便于安裝拆卸、維修調(diào)整。
移動加熱器晶體生長設(shè)備還可以開展化合物半導(dǎo)體的晶體生長研究,如CdZnTe、ZnSe、ZnTe、HgI2、CdMnTe、HgCdTe、GaSb等。
可以開展化合物半導(dǎo)體的晶體生長研究
20000
按照學(xué)校共享規(guī)定
1、檢測行業(yè)全覆蓋,滿足不同的檢測;
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