作者:百檢網 時間:2021-11-11 來源:互聯網
⑴曝光圖形要求: 1.無需光刻掩模,通過電腦輸入圖形,獲得所需曝光圖形光。 2.適合特征尺寸為1微米以下至0.5微納的圖形光刻, 3.曝光速度調節靈活,在選擇大圖形特征尺寸曝光時,可調節光路進行快速曝光。 4.適合厚膠光刻工藝,焦深要求7~25um, ⑵曝光光學系統要求: 5.標準帶通配置 •>510nm用于對準和基板檢查 • 435nm+/- 5nm • 365nm +/- 5nm •寬譜曝光模式 6.拼接灰度255級 7.CCD相機Camera ⑶集成軟件功能: 8.自動聚焦功能 9.場校準光學系統/平臺 10.自動對準套刻功能 11.用戶自定義軟件修改 ⑷平臺: 12.高精度線性驅動平臺 13.X和Y方向運動要求 • 總行程100 mm • 運動精度+/- 200 nm per axis • 重復性 +/- 50 nm per axis 14.Z方向運動要求 •總的運動行程25 mm • 運動精度+/- 200 nm • 重復性+/- 75 nm 15.Theta方向運動平臺 • 總行程360 degrees • 精度+/-5 arc sec • 重復性+/-2 arc se ⑸設備環境要求: 16.適合1000級及更潔凈恒溫恒濕黃光室使用 17.+/- 20C 室溫控制范圍,30-50%相對濕度范圍
用于硅片、光學玻璃等表面光刻膠圖形曝光,制作微納米級圖形。
用于硅片、光學玻璃等表面光刻膠圖形曝光,制作微納米級圖形
5000
在不影響科研的情況下對外開放
1、檢測行業全覆蓋,滿足不同的檢測;
2、實驗室全覆蓋,就近分配本地化檢測;
3、工程師一對一服務,讓檢測更精準;
4、免費初檢,初檢不收取檢測費用;
5、自助下單 快遞免費上門取樣;
6、周期短,費用低,服務周到;
7、擁有CMA、CNAS、CAL等權威資質;
8、檢測報告權威有效、中國通用;
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