服務領域： 技術指標： 分辨率二次電子(SE)成像：高真空模式：30kV時 1.2 nm；1kV時 3.0nm 低真空模式：30kV時 1.5 nm；3kV時 3.0nm ESEM？環境真空模式: 30kV時 1.5 nm 背散射電子(BSE)成像：30kV時 2.5 nm 放大倍數高真空模式: 12x - 1,000,000x 低真空模式: 12x - 1,000,000x 生產廠商： FEI 儀器國別： 啟用時間： 2007-09-28 儀器認證： / 安放地點： / 主要用途： 對于金屬材料進行織構分析、相鑒定、晶粒尺寸的測量、斷裂機制、失效機理研究和應變評估 主要附件及功能： 以很高的分辨率對物質微觀形貌進行顯微成像分析；測定物質結構；在物質微觀形貌及結構進行分析的同時，對物質成分進行微區分析，微區尺寸可為納米尺度。EBSD技術獲得納米材料以及超細材料的晶體結構和晶體取向，從而確定晶體生長模型；對于金屬材料進行織構分析、相鑒定、晶粒尺寸的測量、斷裂機制、失效機理研究和應變評估等。