不銹鋼，奧氏體不銹鋼，304鋁合金，316，鎳基合金，鈦合金，碳鋼，鑄鋁，復合板，
絕大多數金屬和合金是多晶體，在它們的表面上也顯露出許多晶界。晶界是原子排列較為疏松、紊亂的區域，容易產生雜質原子富集、晶界吸附、第二相的沉淀析出等現象(見界面);因此存在著顯著的化學、物理不均勻性。在腐蝕介質中金屬和合金的晶界的溶解速度和晶粒本身的溶解速度是不同的。在某些環境中，晶界的溶解速度遠大于晶粒本身的溶解速度時，會產生沿晶界進行的選擇性局部腐蝕,稱為晶間腐蝕。
產生晶間腐蝕的條件
1.金屬或合金中含有雜質，或者有第二相沿晶界析出。
2.晶界與晶粒內化學成分的差異，在適宜的介質中形成腐 蝕的電池，晶界為陽*，晶粒為陰*，晶界產生選擇性 溶解。
3.有特定的腐蝕介質存在。在某些合金.介質體系中，往往產生嚴重的晶間腐蝕。例如奧氏體不銹鋼在弱氧化性介質(如充氣海水)或強氧化性介質(如濃硝酸)的特定腐蝕介質中，可能產生嚴重的晶間腐蝕。
晶間腐蝕控制方法
1.降低或消除有害雜質。如降低C、N、S等雜質的含量。
2.加入穩定化元素或晶界吸附元素。如在不銹鋼中加入Ti、Nb或B。
3.適當的熱處理工藝。必須避免不銹鋼在敏化區間加熱.對焊接件要求進行焊接后進行固溶處理或快速冷卻，避免在敏化溫度、時間內停留。
4.采用雙相鋼。在奧氏體鋼中有10~20%的鐵素體的鋼稱為雙相鋼。由于鐵素體在鋼中大多沿晶界形成，含鉻量高，因而在敏化溫度區間不至于產生嚴重的貧化。
400-101-7153
15201733840
