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硅片檢測標準和檢測內(nèi)容

作者:如影隨風 時間:2022-10-18 來源:互聯(lián)網(wǎng)

硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。

硅片檢測項目

質(zhì)量檢測、厚度檢測、隱裂檢測、工業(yè)問題診斷、表面有機物檢測、電阻率檢測、壓阻系數(shù)、表面粗糙度檢測、反射率檢測、翹曲度檢測、微量元素檢測、碳氧含量檢測、結(jié)晶度檢測等。

硅片檢測標準

1、GB/T 40110-2021 表面化學分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染

2、GB/T 39145-2020 硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

3、GB/T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片

4、GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

5、GB/T 34479-2017 硅片字母數(shù)字標志規(guī)范

6、GB/T 32280-2015 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法

7、GB/T 30860-2014 太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法

8、GB/T 30859-2014 太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測試方法

9、GB/T 30869-2014 太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法

10、GB/T 30701-2014 表面化學分析 硅片工作標準樣品表面元素的化學收集方法和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定

11、GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法

12、GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

13、GB/T 26068-2010 硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法

14、GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測試方法

15、GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

硅片檢測范圍

單晶硅片、太陽能硅片、多晶硅片、半導體硅片等。

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