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GB/T 8760-2020 砷化鎵單晶位錯密度的測試方法即將實施

作者：百檢網時間：2021-05-26

標準號：GB/T 8760-2020
中文標準名稱：砷化鎵單晶位錯密度的測試方法
英文標準名稱：Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
標準狀態：即將實施,發布于2020-09-29; 實施于2021-08-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2020-09-29
實施日期：2021-08-01
中國標準分類號：77.040
國際標準分類號：77.040
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
執行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：有研光電新材料有限責任公司;國合通用測試評價認證股份公司;廣東先導稀材股份有限公司;云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司;中國電子科技集團第四十六研究所;雅波拓（福建）新材料有限公司
全部替代標準：GB/T 8760-2006
相近標準：20173473-T-610 砷化鎵單晶位錯密度的測試方法; 砷化鎵單晶位錯密度的測試方法; GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法; GB/T 8760-1988 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法; 20021943-T-610 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法; GB/T 5252-2020 鍺單晶位錯密度的測試方法; 20173474-T-610 鍺單晶位錯密度的測試方法; 鍺單晶位錯密度的測試方法; 20202830-T-469 碳化硅單晶位錯密度的測試方法; 碳化硅單晶位錯密度的測試方法

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