標準號：GB/T 36477-2018
中文標準名稱：半導體集成電路 快閃存儲器測試方法
英文標準名稱：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory
標準狀態：現行,發布于2018-06-07; 實施于2019-01-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2018-06-07
實施日期：2019-01-01
中國標準分類號：31.200
國際標準分類號：31.200
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
執行單位：全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）
起草單位：中國電子技術標準化研究院;上海復旦微電子集團股份有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司;中興通訊股份有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;深圳市中興微電子技術有限公司;復旦大學
相近標準：20154240-T-339 半導體集成電路 快閃存儲器測試方法; 半導體集成電路 快閃存儲器測試方法; 20192063-T-339 半導體集成電路 快閃存儲器（FLASH）; 半導體集成電路 快閃存儲器（FLASH）; 半導體集成電路 串行NAND型快閃存儲器接口規范; 半導體集成電路 串行NOR型快閃存儲器接口規范; 20192064-T-339 半導體集成電路 霍爾電路測試方法; 半導體集成電路 霍爾電路測試方法; GB/T 14028-2018 半導體集成電路 模擬開關測試方法; 20182282-T-339 半導體集成電路 AC/DC測試方法