標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 36474-2018
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DDR3 SDRAM)測(cè)試方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2018-06-07; 實(shí)施于2019-01-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2018-06-07
實(shí)施日期：2019-01-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.200
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.200
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院;上海高性能集成電路設(shè)計(jì)中心;成都華微電子科技有限公司;西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司;武漢芯動(dòng)科技有限公司
相近標(biāo)準(zhǔn)：20154239-T-339 半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DDR3 SDRAM)測(cè)試方法; 半導(dǎo)體集成電路 DDR3測(cè)試方法; 20192063-T-339 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器（FLASH）; 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器（FLASH）; GB/T 36477-2018 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法; 20154240-T-339 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法; 半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲(chǔ)器測(cè)試方法; 半導(dǎo)體集成電路 串行NAND型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范; 半導(dǎo)體集成電路 串行NOR型快閃存儲(chǔ)器接口規(guī)范; GB/T 17574.10-2003 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-10部分:數(shù)字集成電路 集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范