標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 34894-2017
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Micro-electromechanical system technology—Measuring method for strain gradient measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2017-11-01; 實(shí)施于2018-05-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2017-11-01
實(shí)施日期：2018-05-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號：31.200
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號：31.200
歸口單位：全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
執(zhí)行單位：全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位：中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心;國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心;南京理工大學(xué);天津大學(xué);中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
相近標(biāo)準(zhǔn)：20120467-T-469 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量方法; GB/T 34900-2017 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法; 20120465-T-469 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測量方法; GB/T 34893-2017 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量方法; 20120466-T-469 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量方法; GB/T 34899-2017 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于拉曼光譜法的微結(jié)構(gòu)表面應(yīng)力測試方法; 20120468-T-469 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于拉曼光譜法的微結(jié)構(gòu)表面應(yīng)力測試方法; GB/T 26111-2010 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語; 20200872-T-469 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語; 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語