標準號：GB/T 32999-2016
中文標準名稱：表面化學分析 深度剖析 用機械輪廓儀柵網復型法測量濺射速率
英文標準名稱：Surface chemical analysis—Depth profiling—Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
標準狀態：現行,發布于2016-10-13; 實施于2017-09-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2016-10-13
實施日期：2017-09-01
中國標準分類號：71.040.40
國際標準分類號：71.040.40
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會
執行單位：全國微束分析標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：北京師范大學分析測試中心;清華大學分析中心
采標情況：本標準等同采用ISO國際標準：ISO/TR 22335:2007。
采標中文名稱:表面化學分析 深度剖析 用機械輪廓儀柵網復型法測量濺射速率。
相近標準：20131700-T-469 表面化學分析 深度剖析 用機械輪廓儀柵網復型法測量濺射速率; GB/T 29557-2013 表面化學分析 深度剖析 濺射深度測量; 20110886-T-469 表面化學分析 深度剖析 濺射深度測量; 20192092-T-469 表面化學分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法; 表面化學分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法; GB/T 20175-2006 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質的優化方法; 20020617-T-469 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質的優化方法; 20193156-T-469 表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法; 表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法; 表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準及相關電流或電流密度測量