標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 17170-2015
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2015-12-10; 實(shí)施于2016-07-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2015-12-10
實(shí)施日期：2016-07-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：77.040
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：77.040
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心;中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì);天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司
全部替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 17170-1997
相近標(biāo)準(zhǔn)：20120262-T-469 半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法; GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法; GB/T 19199-2015 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法; GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法; 20120263-T-469 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法; GB/T 8760-2020 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法; 20173473-T-610 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法; 砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法; GB/T 20228-2006 砷化鎵單晶; 20181810-T-469 砷化鎵單晶