標準號：GB/T 30866-2014
中文標準名稱：碳化硅單晶片直徑測試方法
英文標準名稱：Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
標準狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2014-07-24; 實施于2015-02-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2014-07-24
實施日期：2015-02-01
中國標準分類號：29.045
國際標準分類號：29.045
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
執(zhí)行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所;中國電子技術標準化研究院
相近標準：20091221-T-469 碳化硅單晶片直徑測試方法; GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測試方法; 20120289-T-469 碳化硅單晶片平整度測試方法; GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法; 20091225-T-469 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法; SJ/T 11499-2015 碳化硅單晶電學性能的測試方法; 20202830-T-469 碳化硅單晶位錯密度的測試方法; 碳化硅單晶位錯密度的測試方法; 碳化硅單晶; SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測試方法