標準號:GB/T 29332-2012
中文標準名稱:半導體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙*晶體管(IGBT)
英文標準名稱:Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
標準狀態:現行,發布于2012-12-31; 實施于2013-06-01; 廢止
標準類型:國家標準
標準性質:推薦性
發布日期:2012-12-31
實施日期:2013-06-01
中國標準分類號:31.080.30;31.080.01
國際標準分類號:31.080.30;31.080.01
歸口單位:全國半導體器件標準化技術委員會
執行單位:全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門:工業和信息化部(電子)
起草單位:西安電力電子技術研究所;英飛凌科技(中國)有限公司;江蘇宏微科技有限公司;西安愛帕克電力電子有限公司;威海新佳電子有限公司
采標情況:本標準等同采用IEC國際標準:IEC 60747-9:2007。
采標中文名稱:半導體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙*晶體管(IGBTs)。
相近標準:20030157-T-339 半導體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙*晶體管(IGBT); 20200761-T-339 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管; 半導體器件 第7部分:雙*型晶體管; 20064065-T-339 半導體器件 第7部分:雙*型晶體管; GB/T 7576-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙*型晶體管空白詳細規范; GB/T 4586-1994 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管; 20061346-T-339 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管; GB/T 4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管; GB/T 6217-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 **篇 高低頻放大環境額定的雙*型晶體管空白詳細規范; 半導體器件 關于MOS晶體管的熱載流子試驗
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