標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 27760-2011
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：利用Si（111）晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：Test method for calibrating the z-magnification of an atomic force microscope at subnanometer displacement levels using si (111) monatomic steps
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2011-12-30; 實(shí)施于2012-05-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2011-12-30
實(shí)施日期：2012-05-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)：19.020
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)：19.020
歸口單位：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門(mén)：中國(guó)科學(xué)院
起草單位：國(guó)家納米科學(xué)中心
采標(biāo)情況：本標(biāo)準(zhǔn)修改采用其他國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：ASTM E 2530-2006。
采標(biāo)中文名稱(chēng):利用Si（111）晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法。
相近標(biāo)準(zhǔn)：20081451-T-491 利用Si（111）晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法; 20140894-T-491 納米技術(shù) 氧化石墨烯厚度測(cè)量 原子力顯微鏡法; 表面化學(xué)分析 原子力顯微術(shù) 用于納米結(jié)構(gòu)測(cè)量的原子力顯微鏡探針柄輪廓原位表征程序; GB/T 31227-2014 原子力顯微鏡測(cè)量濺射薄膜表面粗糙度的方法; 20078478-T-491 原子力顯微鏡測(cè)量濺射薄膜表面粗糙度的方法; GB/T 33714-2017 納米技術(shù) 納米顆粒尺寸測(cè)量 原子力顯微術(shù); 20130922-T-491 納米技術(shù) 納米顆粒尺寸測(cè)量 原子力顯微術(shù); GB/T 36969-2018 納米技術(shù) 原子力顯微術(shù)測(cè)定納米薄膜厚度的方法; 20091793-T-491 納米技術(shù) 原子力顯微術(shù)測(cè)定納米薄膜厚度的方法; GB/T 28872-2012 活細(xì)胞樣品納米結(jié)構(gòu)的磁驅(qū)動(dòng)輕敲模式原子力顯微鏡檢測(cè)方法