GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法 現行
作者：百檢網 時間：2021-05-26
中文標準名稱：硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法
英文標準名稱：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
標準狀態：現行,發布于2010-09-26; 實施于2011-08-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2010-09-26
實施日期：2011-08-01
中國標準分類號：71.040.40
國際標準分類號：71.040.40
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會
執行單位：全國微束分析標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：中國科學院化學研究所;中國計量科學研究院
相近標準：20091365-T-469 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法; GB/T 25184-2010 X射線光電子能譜儀檢定方法; 20075691-T-469 X射線光電子能譜儀檢定方法; 表面化學分析 X射線光電子能譜 X射線光電子能譜儀日常性能的評估方法; GB/T 30704-2014 表面化學分析 X射線光電子能譜 分析指南; 20121403-T-469 表面化學分析 X射線光電子能譜 分析指南; 20201568-T-469 表面化學分析—電子能譜—X射線光電子能譜峰擬合的*低報告要求; 表面化學分析—電子能譜—X射線光電子能譜峰擬合的*低報告要求; GB/T 36401-2018 表面化學分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結果的報告; GB/Z 32490-2016 表面化學分析 X射線光電子能譜 確定本底的程序
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