GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法 現行
作者：百檢網 時間：2021-05-26
中文標準名稱：硅單晶電阻率測定方法
英文標準名稱：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
標準狀態：現行,發布于2009-10-30; 實施于2010-06-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-06-01
中國標準分類號：29.045
國際標準分類號：29.045
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
執行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心;中國電子科技集團公司第四十六研究所
全部替代標準：GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995
采標情況：本標準修改采用其他國際標準：SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。
采標中文名稱:硅片電阻率測定四探針法、硅棒電阻率測定兩探針法。
相近標準：20060505-T-469 硅單晶電阻率測定方法; 20181809-T-469 硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法; 硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法; GB/T 24521-2009 焦炭電阻率測定方法; 20074188-T-605 焦炭電阻率測定方法; 20202829-T-469 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法; 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法; GB/T 16427-2018 粉塵層電阻率測定方法; GB/T 16427-1996 粉塵層電阻率測定方法; 20091194-T-450 粉塵層電阻率測定方法
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