標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 24574-2009
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于2009-10-30; 實(shí)施于2010-06-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：29.045
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：29.045
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
采標(biāo)情況：本標(biāo)準(zhǔn)修改采用其他國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：SEMI MF1389-0704。
采標(biāo)中文名稱:Ⅲ－Ⅴ號(hào)混雜物中對(duì)單晶體硅的光致發(fā)光分析的測(cè)試方法。
相近標(biāo)準(zhǔn)：20070858-T-469 硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法; SJ/T 11494-2015 硅單晶中III-V族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法; GA/T 593-2006 光致發(fā)光照相、錄像方法規(guī)則; QB/T 4004-2010 計(jì)時(shí)儀器 光致發(fā)光涂層 試驗(yàn)方法和要求; 20191279-T-607 計(jì)時(shí)儀器 光致發(fā)光涂層 試驗(yàn)方法和要求; 計(jì)時(shí)儀器 光致發(fā)光涂層 試驗(yàn)方法和要求; 碳化硅外延片基面位錯(cuò)的測(cè)試 光致發(fā)光法; 20068100-T-469 光致發(fā)光（磷光）安全標(biāo)記光學(xué)性能要求; GB/T 21382-2008 光致發(fā)光（磷光）安全標(biāo)記光學(xué)性能要求; SJ/T 11492-2015 光致發(fā)光法測(cè)定磷鎵砷晶片的組分