標準號：GB/T 21039.1-2007
中文標準名稱：半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范
英文標準名稱：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
標準狀態：現行,發布于2007-06-29; 實施于2007-11-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：2007-06-29
實施日期：2007-11-01
中國標準分類號：31.080.30
國際標準分類號：31.080.30
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
執行單位：全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）
起草單位：中國電子技術標準化研究所
采標情況：本標準等同采用IEC國際標準：IEC 60747-4-1:2000。
采標中文名稱:半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范。
相近標準：20030156-T-339 半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范; GB/T 4586-1994 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管; 20061346-T-339 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管; GB/T 6219-1998 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 **篇 1 GHz、5 W以下的單柵場效應晶體管 空白詳細規范; GB/T 15449-1995 管殼額定開關用場效應晶體管 空白詳細規范; SJ/T 9014.8.2-2018 半導體器件 分立器件第8-2部分：超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范; 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的自由離子試驗; 20210839-T-339 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的溫度偏置穩態試驗; 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的溫度偏置穩態試驗; 20200761-T-339 半導體器件 分立器件 第7部分：雙*型晶體管