標準號：GB/T 7576-1998
中文標準名稱：半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙*型晶體管空白詳細規范
英文標準名稱：Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification
標準狀態：現行,發布于1998-11-17; 實施于1999-06-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：1998-11-17
實施日期：1999-06-01
中國標準分類號：31.080.30
國際標準分類號：31.080.30
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
執行單位：全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）
起草單位：電子工業部標準化研究所
全部替代標準：GB 7576-1987
采標情況：本標準等同采用IEC國際標準：IEC 747-7-4:1991
QC 750107。
采標中文名稱:。
相近標準：GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙*型晶體管空白詳細規范; GB/T 6217-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 **篇 高低頻放大環境額定的雙*型晶體管空白詳細規范; 20200761-T-339 半導體器件 分立器件 第7部分：雙*型晶體管; GB/T 29332-2012 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT); 20030157-T-339 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT); 半導體器件 第7部分：雙*型晶體管; 20064065-T-339 半導體器件 第7部分:雙*型晶體管; GB/T 6352-1998 半導體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 **篇 100A以下環境或管殼額定反向阻斷三*閘流晶體管空白詳細規范; SJ/T 1477-2016 半導體分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高頻小功率晶體管詳細規范; SJ/T 1472-2016 半導體分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高頻小功率晶體管詳細規范