標準號：GB/T 6590-1998
中文標準名稱：半導體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 第二篇 100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三*閘流晶體管空白詳細規(guī)范
英文標準名稱：Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A
標準狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于1998-11-17; 實施于1999-06-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發(fā)布日期：1998-11-17
實施日期：1999-06-01
中國標準分類號：31.080.20
國際標準分類號：31.080.20
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
執(zhí)行單位：全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門：工業(yè)和信息化部（電子）
起草單位：電子工業(yè)部標準化研究所
全部替代標準：GB 6590-1986
采標情況：本標準等同采用IEC國際標準：IEC 747-6-2:1991
QC 750111。
采標中文名稱:。
相近標準：GB/T 13150-2005 半導體器件 分立器件 電流大于 100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三*晶閘管空白詳細規(guī)范; GB/T 6352-1998 半導體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 **篇 100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三*閘流晶體管空白詳細規(guī)范; GB/T 7576-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙*型晶體管空白詳細規(guī)范; GB/T 13151-2005 半導體器件 分立器件 第6部分:晶閘管 第3篇 電流大于 100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三*晶閘管空白詳細規(guī)范; GB/T 13150-1991 100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三*晶閘管空白詳細規(guī)范; GB/T 6217-1998 半導體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 **篇 高低頻放大環(huán)境額定的雙*型晶體管空白詳細規(guī)范; 20031305-T-604 電流100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三*晶閘管空白詳細規(guī)范; 20200761-T-339 半導體器件 分立器件 第7部分：雙*型晶體管; GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙*型晶體管空白詳細規(guī)范; GB/T 4586-1994 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管