標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 15449-1995
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：管殼額定開(kāi)關(guān)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管 空白詳細(xì)規(guī)范
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated switching application
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行,發(fā)布于1995-01-05; 實(shí)施于1995-08-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
發(fā)布日期：1995-01-05
實(shí)施日期：1995-08-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080.99
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：31.080.99
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位：全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門(mén)：工業(yè)和信息化部（電子）
起草單位：上海無(wú)線電十四廠
相近標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 6219-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 **篇 1 GHz、5 W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 空白詳細(xì)規(guī)范; GB/T 21039.1-2007 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; 20030156-T-339 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 20061346-T-339 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管; GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙*型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; GB/T 6218-1996 開(kāi)關(guān)用雙*型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; SJ/T 9014.8.2-2018 半導(dǎo)體器件 分立器件第8-2部分：超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; 半導(dǎo)體器件 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFETs）的自由離子試驗(yàn); 20210839-T-339 半導(dǎo)體器件 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFETs）的溫度偏置穩(wěn)態(tài)試驗(yàn)