標準號：GB/T 4586-1994
中文標準名稱：半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管
英文標準名稱：Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors
標準狀態：現行,發布于1994-12-30; 實施于1995-08-01; 廢止
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
發布日期：1994-12-30
實施日期：1995-08-01
中國標準分類號：31.080
國際標準分類號：31.080
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
執行單位：全國半導體器件標準化技術委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）
起草單位：電子工業部標準化研究所
全部替代標準：GB 4586-1984
采標情況：本標準等同采用IEC國際標準：IEC 747-8:1984。
采標中文名稱:。
相近標準：20061346-T-339 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管; GB/T 6219-1998 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 **篇 1 GHz、5 W以下的單柵場效應晶體管 空白詳細規范; 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的自由離子試驗; GB/T 21039.1-2007 半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范; 20030156-T-339 半導體器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范; 20210839-T-339 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的溫度偏置穩態試驗; 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的溫度偏置穩態試驗; SJ/T 9014.8.2-2018 半導體器件 分立器件第8-2部分：超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范; GB/T 15449-1995 管殼額定開關用場效應晶體管 空白詳細規范; 20200761-T-339 半導體器件 分立器件 第7部分：雙*型晶體管