標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 4587-1994
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱:半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙*型晶體管
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱:Semiconductor discrete devices and integrated circuits--Part 7:Bipolar transistors
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行,發(fā)布于1994-12-30; 實(shí)施于1995-08-01; 廢止
標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性
發(fā)布日期:1994-12-30
實(shí)施日期:1995-08-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):31.080
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):31.080
歸口單位:全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
執(zhí)行單位:全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門:工業(yè)和信息化部(電子)
起草單位:電子工業(yè)部第十三研究所
全部替代標(biāo)準(zhǔn):GB 6801-1986,GB 4587-1984
采標(biāo)情況:本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC國際標(biāo)準(zhǔn):IEC 747-7:1988。
采標(biāo)中文名稱:。
相近標(biāo)準(zhǔn):20200761-T-339 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管; GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙*晶體管(IGBT); 20030157-T-339 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙*晶體管(IGBT); 半導(dǎo)體器件 第7部分:雙*型晶體管; 20064065-T-339 半導(dǎo)體器件 第7部分:雙*型晶體管; GB/T 7576-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分:雙*型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙*型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范; GB/T 17573-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第1部分:總則; GB/T 12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路); 20030158-T-339 半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路); GB/T 4589.1-2006 半導(dǎo)體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范
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