GB/T 6616-2009 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
作者：百檢網 時間：2021-07-13
中文標準名稱：半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
英文標準名稱：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
標準類型：H80
發布日期：2009/10/30 12:00:00
實施日期：2010/6/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1552;ASTM E 691
適用范圍：本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm-1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時，襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。硅片電阻率和薄膜薄層電阻測量范圍分別為1.0*10
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