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GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法

作者：百檢網時間：2021-07-13

標準號：GB/T 24581-2009
中文標準名稱：低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法
英文標準名稱：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標準類型：H80
發布日期：2009/10/30 12:00:00
實施日期：2010/6/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1558;GB/T 6618;GB/T 13389;GB/T 14264;SEMI MF 1723;ASTM E131;ASTM E168;ASTM E177;ASTM E275
適用范圍：本標準適用于檢測硅單品中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。本標準所適用的硅中每一種電活性元素雜質或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10

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