GB/T 4326-2006 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
作者：百檢網 時間：2021-07-13
中文標準名稱：非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
英文標準名稱：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
標準類型：H17
發布日期：2006/7/18 12:00:00
實施日期：2006/11/1 12:00:00
中國標準分類號：H17
國際標準分類號：77.040.01
適用范圍： 本標準規定的測量方法適用于測量非本征半導體單晶材料的霍爾系數、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達10
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