GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
作者：百檢網 時間：2021-07-14
中文標準名稱：硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
英文標準名稱：Practice for shallow etch pit detection on silicon
標準類型：方法
實施日期：20111001
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
適用范圍：本標準規定了用熱氧化和化學擇優腐蝕技術檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(TC203)
主管部門：國家標準化管理委員會(469)
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司
起草人：田素霞、張靜雯、王文衛、周濤
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