標準號：YS/T 679-2008
中文標準名稱：非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法
英文標準名稱：Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
標準類型：H80
發布日期：2008/3/12 12:00:00
實施日期：2008/9/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1552;GB/T 1553;GB/T 6616;GB/T 6618;GB/T 11446.1;GB/T 14264;GB/T 14847
適用范圍：1.1 本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質外延層中的少數載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于 4 倍的擴散長度。1.2 本標準是為單晶硅樣品的應用而開發的，可用于測量其他半導體，如砷化鎵（同時調整相應的光照波長（能量）范圍和樣品的制備工藝）上的有效擴散長度和評價晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品上有效擴散長度。本標準也可用于硅片的潔凈區的寬度測定。1.3 本標準對樣品的電阻率和壽命的應用*限尚未確定，但已經成功的對電阻率（0.l～50）Ω·cm 、載流子壽命短至 2ns 的 p 和 n 型硅樣品進行了測量。本標準測量的擴散長度僅在室溫22℃±0.5℃下進行，壽命和擴散長度是溫度的函數。