標準號：GB/T 18210-2000
中文標準名稱：晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量
英文標準名稱：Crystalline silicon photovoltaic(PV) array-On-site measurement of I-V characteristics
標準類型：K83
發(fā)布日期：2000/10/17 12:00:00
實施日期：2001/5/1 12:00:00
中國標準分類號：K83
國際標準分類號：27.160
適用范圍： 本標準描述晶體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場測量及將測得的數(shù)據(jù)外推到標準測試條件（STC）或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序。 光伏方陣在實際現(xiàn)場條件下的I-V特性測量及其驗收測試條件（ATC）下的外推值，能夠提供（參見附錄A和IECQ QC001002）： a)功率額定值的數(shù)據(jù)； b)驗證已安裝的方陣功率性能是否符合設計規(guī)范； c)檢測現(xiàn)場組件特性與實驗室或工廠測量之間的差異； d)檢測組件和方陣相對于現(xiàn)場初期數(shù)據(jù)的性能衰降。 對于某一個組件，現(xiàn)場測量經(jīng)外推到標準測試條件（STC）的數(shù)據(jù)，可以直接與先前在實驗室和工廠得到的結果相比較。條件是兩者測量中使用的標準光伏器件具有相同的光譜響應和相同的空間分布響應。參見GB/T 6495（或IEC 60904）的相應標準。 由于現(xiàn)場方陣測量的數(shù)據(jù)包括了二*管、電纜以及失配損失。因此，它們不可直接同各組件數(shù)據(jù)之和相比較。 如果一個光伏方陣是由不同仰角、方位角、工藝、電氣結構的若干個子方陣組成，這里描述的程序將只適用于每一個光伏子方陣。