GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
作者：百檢網 時間：2021-07-19
中文標準名稱：硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
英文標準名稱：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
標準類型：H80
發布日期：2009/10/30 12:00:00
實施日期：2010/6/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1550;GB/T 1552;GB/T 1555;GB/T 14847
適用范圍：本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍：10
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