GB/T 13539.4-2009 低壓熔斷器.第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求
作者：百檢網 時間：2021-07-29
中文標準名稱：低壓熔斷器.第4部分:半導體設備保護用熔斷體的補充要求
英文標準名稱：Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
標準類型：K31
發布日期：2009/4/21 12:00:00
實施日期：2009/11/1 12:00:00
中國標準分類號：K31
國際標準分類號：29.120.50
引用標準：GB/T 321-2005;GB 13539.1-2008;GB/T 13539.2-2008;GB 13539.3-2008;IEC 60417
適用范圍：除GB 13539. 1-2008規定外，補充下列要求。 半導體設備保護用的熔斷體應符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中沒有另外指明的，也應符合本部分規定的補充要求。 本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，該熔斷體適用于標稱電壓不超過交流1000 V或直流1 500 V的電路。如適用，還可用于更高的標稱電壓的電路。 本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性，從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔斷體替換半導體熔斷體。因此，本部分中特別規定了: a)熔斷體的下列特性: 1)額定值；2)正常工作時的溫升；3)耗散功率； 4)時間-電流特性；5)分斷能力； 6)截斷電流特性和I
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