標準號：GB/T 13388-2009
中文標準名稱：硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法
英文標準名稱：Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
標準類型：H80
發(fā)布日期：2009/10/30 12:00:00
實施日期：2010/6/1 12:00:00
中國標準分類號：H80
國際標準分類號：29.045
引用標準：GB/T 1555;GB/T 2828.1;GB/T 12964;GB/T 12965;GB/T 14264;ASTM E82;DIN 50433.3
適用范圍：本標準規(guī)定了a角的測量方法，a角為垂直于圓型硅片基準參考平面的晶向與硅片表面參考面間角。本標準適用于硅片的參考面長度范圍應(yīng)符合GB／T 12964和GB／T 12965中的規(guī)定，且硅片角度偏離應(yīng)在-5o到+5o范圍之內(nèi)。 由本標準測定的晶向精度直接依賴于參考表面與基準擋板的匹配精度和擋板與相對于的x射線的取向精度。本標準包含如下兩種測試方法：測試方法1-X射線邊緣衍射法測試方法2-勞厄背反射X射線法 測試方法1是非破壞性的，為了使硅片**的相對于X射線測角器定位，除了使用特殊的硅片夾具外，與GB／T 1555測試方法1類似。與勞厄背反射法相比，該技術(shù)測量參考面的晶向能得到更高的精度。方法2也是非破壞性的，為了使參考面相對于X射線束定位，除了使用“瞬時”底片和特殊夾具外，與ASTM E82和DIN 50433測試方法第3部分類似。雖然方法2更簡單快速，但不具有方法l的精度，因為其使用的儀器和夾具裝置精確度較低且成本較低。方法2提供了一個測量的永久性底片的記錄。 注：解釋Laue照片可以獲得硅片取向誤差的信息。然而這超出了測試方法的范圍。愿意進行這種解釋的用戶，可 以參閱ASTM E82和DIN50433測試方法第3部分或標準的X射線教科書。由于可以使用不同的夾具，方法2也適用于硅片表面取向的測定。本標準中的數(shù)值均以公制為單位，英制單位的數(shù)值放在括號內(nèi)僅作為信息提供。 注：本標準不涉及安全問題，即使有也與標準的使用相聯(lián)系。標準使用前，建立合適的安全和保障措施以及確定規(guī)章制度的廊用范圍是標準使用者的責任。