標準號：GB/T 17865-1999
中文標準名稱：焦深與*佳聚焦的測量規(guī)范
英文標準名稱：Specification for measuring depth of focus and best focus
標準類型：L56
發(fā)布日期：1999/9/13 12:00:00
實施日期：2000/6/1 12:00:00
中國標準分類號：L56
國際標準分類號：31.200
適用范圍： IC行業(yè)中的光刻及光掩模制造工藝需要對IC光刻設備如光學圖形發(fā)生器、分步重復精縮機、分步重復投影光刻機、掃描曝光系統(tǒng)等（以下簡稱為設備）的聚焦深度、像散和場畸變進行測量并提出報告，本標準解釋他們常用的術語的含義和所用的基本技術。 本標準只涉及集成電路生產中所用的光刻技術及其關系密切的技術的聚焦與焦深測量問題。由于設備技術多種多樣，因而不可能提出這些參數的明確測量方法。本標準只提供基本準則。 注：在確定適合某項應用的*佳焦點時，這個方法是頗有價值的。但它的主要目的是通過測定焦深、像散和場畸變來比較不同的設備和工藝。 對于某一個具體設備來說，焦深、像散和場畸變數值的測定離不開圖像幾何尺寸和圖像轉印工藝的影響。這些數值必須在適應該設備的某個實際使用過程的各種限制條件下進行測定，包括照明、工藝、目標圖形和環(huán)境。因此，為了公正測定設備的性能，所用的工藝必須適合相應設備和使用條件，而且應針對相應設備和應用過程進行優(yōu)化。兩個不同設備的性能比較實質上是綜合應用的比較，其中包括該設備專用的工藝。在焦深、像散或場畸變的測量是報告中，工藝描述是必不可少的部分。如果借鑒的數據是從與相應設備所需應用條件偏離太大的情況下取得的，則這樣的數據將引入誤差，還可能引起意想不到的工藝失敗。