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GB/T 6590-1998 半導體器件 分立器件 第6部分;閘流晶體管 第二篇 100A以下環境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規范

作者:百檢網 時間:2021-07-31

標準號:GB/T 6590-1998
中文標準名稱:半導體器件 分立器件 第6部分;閘流晶體管 第二篇 100A以下環境或管殼額定的雙向三*閘流晶體管空白詳細規范
英文標準名稱:Semiconductor devices Discrete devices Part 6: Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A
標準類型:L43
發布日期:1998/11/17 12:00:00
實施日期:1999/6/1 12:00:00
中國標準分類號:L43
國際標準分類號:31.080.20
適用范圍: 本空白詳細規范規定了制定100A以下(含 100A)環境或管殼額定的雙向三及閘流晶體管(包括快速型)詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應盡可能與本空白詳細規范一致。 本空白詳細規范是與(GB/T 4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》(IED 747-10:1984)和GB/T 8560-1990《半導體器件、分立器件規范》(IEC 747-11:1985)有關的一系列空白詳細規范中的一個。

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