標(biāo)準(zhǔn)號(hào):20182263-T-339
中文標(biāo)準(zhǔn)名稱:元器件位移損傷試驗(yàn)方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱:Displayment damage testing method of semiconductor devices
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):正在審查
標(biāo)準(zhǔn)類型:國標(biāo)計(jì)劃
發(fā)布日期:1999/12/31 12:00:00
實(shí)施日期:1999/12/31 12:00:00
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):中國工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):31.200
歸口單位:全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
主管部門:工業(yè)和信息化部(電子)
起草單位:中國空間技術(shù)研究院
起草人:于慶奎
相近標(biāo)準(zhǔn): ?元器件位移損傷試驗(yàn)方法;JB/T 7574-2013 ?機(jī)械產(chǎn)品及元器件濕熱環(huán)境大氣暴露試驗(yàn)方法和導(dǎo)則;JB/T 7575-
標(biāo)準(zhǔn)制修訂:制訂
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