IEC 62374-2007 半導體器件.柵極介電薄膜用時間相關的電介質擊穿(TDDB)試驗
作者：百檢網 時間：2021-08-05
中文標準名稱：半導體器件.柵*介電薄膜用時間相關的電介質擊穿(TDDB)試驗
英文標準名稱：Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
標準類型：L40
發布日期：1999/12/31 12:00:00
實施日期：1999/12/31 12:00:00
中國標準分類號：L40
國際標準分類號：31.080.01
適用范圍：This International Standard provides a test method of Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB) for gate dielectric films on semiconductor devices and a product lifetime estimationmethod of TDDB failure.
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