標準號:20121267-T-469
中文標準名稱:用柵控和非柵控二*管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法
英文標準名稱:Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
標準狀態:已發布
標準類型:國家標準
發布日期:2013/12/31 12:00:00
實施日期:2014/8/15 12:00:00
中國標準分類號:中國電子科技集團公司第四十六研究所
國際標準分類號:29.045
歸口單位:工業和信息化部(電子)
主管部門:工業和信息化部(電子)
起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心
起草人:董顏輝
相近標準:
;GB/T 14863-1993
;20063926-T-339 ?用柵控和非柵控二*管
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