D-SIMS分析如何做?動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，根據(jù)二次離子的質(zhì)量來(lái)測(cè)定元素種類，具有*高分辨率和檢出限的表面分析技術(shù)。

檢測(cè)范圍

　　1，鑒別在金屬、 玻璃、陶瓷、薄膜或粉末表面上的無(wú)機(jī)物層或有機(jī)物層。

　　2，氧化物表層、腐蝕膜、瀝濾層和擴(kuò)散層沿深度的濃度分布。

　　3，經(jīng)擴(kuò)散或離子注入到半導(dǎo)體材料中的微量摻雜劑(≤1000ppm)沿深度的濃度分布。

　　4，在脆化金屬合金、氣相沉積薄膜、水合玻璃和礦物質(zhì)中的氫濃度和氫沿深度的分布。

　　5，定量分析固體中的痕量元素。

　　6，分析地質(zhì)樣品和含銀樣品中的同位素豐度。

　　7，用同位素富集材料進(jìn)行示蹤研究(如研究擴(kuò)散和氧化)。

　　8，礦物質(zhì)、多相陶瓷和金屬中的相分布。

　　9，由晶界偏析、內(nèi)氧化或沉淀引起的第二相分布。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

　　3ASTM E1504-2011次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

　　4ASTM E1880-2006用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)對(duì)組織低溫部分分析規(guī)程

　　**STM E1881-2006用次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS)對(duì)細(xì)胞培養(yǎng)分析指南

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D-SIMS流程

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　　3、工程師報(bào)價(jià)

　　4、支付檢測(cè)費(fèi)用，開展實(shí)驗(yàn)。

　　5、完成實(shí)驗(yàn)，出具檢測(cè)報(bào)告。

　　6、郵寄檢測(cè)報(bào)告，售后服務(wù)。