OBIRCH
作為一種新型的高分辨率微觀缺陷定位技術(shù),能夠在大范圍內(nèi)迅速準(zhǔn)確地進(jìn)行器件失效缺陷定位,基本上,只要有
原理:用激光束在通電恒壓下的LED芯片表面進(jìn)行掃描,激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能,如果LED芯片存在缺陷點(diǎn),缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導(dǎo)散開,這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計(jì)升高,并進(jìn)一步引起金屬線電阻以及電流變化,通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應(yīng),定位缺陷位置。該方法常用于LED芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析,芯片漏電路徑分析。
金鑒實(shí)驗(yàn)室LED芯片失效點(diǎn)分析(Obirch+FIB+SEM)檢測報告!
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