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移動加熱器法晶體生長設備

作者:百檢網 時間:2021-11-11 來源:互聯網

  • 詳細信息

    主要技術指標:

    1. 生長晶體尺寸:晶體直徑為&#61542;30 &#61566; 60 mm范圍,晶體長度為200 mm。 2. 晶體生長爐溫度場: <1> 晶體生長爐分為三部分加熱,上、下區采用電阻加熱模式,中間區采用高頻感應加熱模式。 <2> 中間高頻感應區域為晶體生長區。上、下電阻加熱區域分別為晶體預熱區和晶體退火區,高度都為300 cm。 <3> 晶體生長過程的溶解面和結晶面的溫度范圍為600 ℃~1000 ℃。 <4> 晶體的溶解面和結晶面的溫度梯度范圍為0~60 ℃/cm。 <5> 溶劑區高度范圍為20~60 mm。 <6> 晶體生長爐膛內部溫場穩定,徑向溫度梯度&#61603; ±0.5 ℃。 <7> 三部分加熱區域模塊化,便于安裝拆卸、維修調整。

    主要功能:

    移動加熱器晶體生長設備還可以開展化合物半導體的晶體生長研究,如CdZnTe、ZnSe、ZnTe、HgI2、CdMnTe、HgCdTe、GaSb等。

  • 服務信息

    服務內容:

    可以開展化合物半導體的晶體生長研究

    收費標準:

    20000

    用戶須知:

    按照學校共享規定

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