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表面缺陷測量儀

作者:百檢網 時間:2021-11-11 來源:互聯網

主要技術指標

襯底直徑 標準卡盤可用于直徑從2英寸到200mm的晶圓。襯底厚度 350μm---1100μm 襯底材料 任何對入射光的散射≤10%的不透明的拋光表面 任何對入射光的散射≤10%的光潔或者不透明的襯底缺陷敏感度 0.08μm直徑的PSL等效球體上的捕獲率≥95%(在裸硅上的PSL)其他缺陷和應用程序 微粒,刮痕,污點,凹坑,凸起。分類的精度和*小檢測尺寸決定于缺陷的光學信號。敏感度:自動缺陷分類的*小檢測尺寸: 1.??刮痕:100μm長,0.1μm寬,5nm深 2.? 凹點:20μm直徑,5nm深 3.?? 污點:20μm直徑,1nm厚 NOTE:缺陷信號必須比背景P-V信號的3倍要高表面形貌(裸襯底上) >0.2nm Ra 參數 Ra, Rq, Wa, Wq "薄膜厚度一致性(single layer only sensitivity)" 0.1nm<氧化層<100nm 可重復性 CV≤5.0%(3.0%的typical/mean為2000,0.08μm的乳膠球 CV=變化率系數,σ/μ

主要功能/應用范圍

材料表面缺陷測量,主要用于半導體晶片材料、藍寶石襯底片檢測

服務內容

晶片表面缺陷檢測分析

服務的典型成果

對外開放共享規定

參考收費標準

協商

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