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MOS管是金屬—氧化物-半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。雙*型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙*型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管，叫做場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

檢測周期：7-10個工作日出具MOS管檢測報告。

MOS管檢測范圍：

結型場效應管(N溝道)、結型場效應管(P溝道)、絕緣柵場效應管(N溝道)、絕緣柵場效應管(P溝道)等;

MOS管檢測項目：

阻抗性、噪聲檢測、動態范圍、功耗檢測、等;

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