作者:百檢網 時間:2021-11-15 來源:互聯網
1 范圍
本標準規定了四方相氧化鋯陶瓷材料的化學組成和性能要求、試驗方法等。
本標準適用于常壓燒結的氧化釔部分穩定的四方相氧化鋯陶瓷材料。
2 規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其*新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 6569 精細陶瓷彎曲強度試驗方法
GB/T 18114.8 獨居石精礦化學分析方法 氧化釔量的測定
GB/T 23806 精細陶瓷斷裂韌性試驗方法單邊預裂紋梁(SEPB)法
GB/T 25995 精細陶瓷密度和顯氣孔率試驗方法
JC/T 2015-2010 四方相氧化鋯陶瓷老化性能測定方法
YS/T 568.1 氧化鋯、氧化鉿化學分析方法 氧化鋯和氧化鉿合量的測定 苦杏仁酸重量法
YS/T 568.2 氧化鋯、氧化鉿化學分析方法 鐵量的測定 磺基水楊酸分光光度法
YS/T 568.4 氧化鋯、氧化鉿化學分析方法 鋁量的測定 鉻天青S-氯化十四烷基吡啶分光光度法
3 材料化學組成和性能要求
材料化學組成和性能要求見表1。
4 試驗方法
4.1 化學組成
4.1.1 ZrO2+HfO2+Y2O3含量
Zr02+HfO2含量按照YS/T 568.1 規定的方法進行測定,Y2O3含量按照GB/T 18114.8規定的方法進行測定。按照測定結果計算ZrO2+HfO2+Y2O3含量。
4.1.2 Fe2O3含量
按照YS/T 568.2 規定的方法進行測定。
4.1.3 Al2O3含量
按照YS/T 568.4 規定的方法進行測定。
4.2 體積密度
按照GB/T 25995 規定的方法進行測定。
4.3 平均晶粒尺寸
4.3.1 原理
采用掃描電子顯微鏡拍攝的顯微結構照片,測定同一方向上的晶粒數值,根據標定的放大倍數計算平均晶粒尺寸。
4.3.2 儀器設備
a)研磨和拋光設備;
b)用于表面熱腐蝕的溫度可達1400℃的電爐;
c)掃描電子顯微鏡。
4.3.3 試樣制備
a)試樣采用和實際生產制品相同原料,相同成型和燒結工藝制備,試樣數不少于5根;
b)切割試樣并拋光切面;
c)在低于燒結溫度200℃的條件下對拋光面進行熱腐蝕。
注:不同氧化鋯陶瓷材料的腐蝕條件可能不同。
4.3.4 試驗步驟
a)采用標準的網格線標定掃描電子顯微鏡放大倍數;
b)拍攝拋光熱腐蝕后試樣表面的顯微結構照片,在試樣表面等分區域拍照,照片數不少于10張,照片中的晶粒數不少于250粒;
c)每張照片沿平行于底部、垂直于底部、對角線方向各取三條線,每條線上晶粒數不少于20粒,根據標定后的放大倍數,計算這張照片上的平均晶粒尺寸。
4.3.5 結果計算
平均晶粒尺寸即為每根試樣的所有照片上平均晶粒尺寸的平均值,標準偏差應小于0.18。
4.4 單斜相氧化鋯含量
試樣采用和實際生產制品相同原料、相同成型和燒結工藝制備,單斜相氧化鋯含量按照JC/T 2015-2010 中6.3的規定的方法進行測定。
4.5 彎曲強度
按照GB/T 6569 規定的方法進行測定。
4.6 老化性能
試樣采用和實際生產制品相同原料、相同成型和燒結工藝制備,按照JC/T 2015-2010 中第6章規定的方法進行常規老化性能試驗,然后分別測定試樣的單斜相含量和殘余彎曲強度。
4.7 斷裂韌性
按照GB/T 23806 規定的方法進行測定。
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