作者:百檢網 時間:2021-11-22 來源:互聯網
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探照燈燈具熱特性測試的原理與方法
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近年來,強光探照燈照明技術快速發展,在強光探照燈的光效、色溫、顯色性等光色指標備受關注的同時,強光探照燈的熱學特性和壽命也越來越受到人們的重視,特別是熱學特性,對強光探照燈光、色、電等參數的性能和壽命有著顯著的影響。
強光探照燈熱性能的測試**要測試強光探照燈的結溫,即工作狀態下強光探照燈芯片的溫度。關于強光探照燈芯片溫度的測試,理論上有多種方法,如紅外光譜法、波長
電壓法測量強光探照燈結溫的主要思想是:特定電流下強光探照燈的正向壓降Vf與強光探照燈芯片的溫度成線性關系,所以只要測試到兩個以上溫度點的Vf值,就可以確定該強光探照燈電壓與溫度的關系斜率,即電壓溫度系數K值,單位是mV/℃。K值可由公式K=△Vf/△Tj求得。K值有了,就可以通過測量實時的Vf值,計算出芯片的溫度(結溫)Tj。為了減小電壓測量帶來的誤差,>標準規定測量系數K時,兩個溫度點溫差應該大于等于50度。對于用電壓法測量結溫的儀器有幾個基本的要求:
(1)電壓法測量結溫的基礎是特定的測試電流下的Vf測量,而強光探照燈芯片由于溫度變化帶來的電壓變化是毫伏級的,所以要求測試儀器對電壓測量的穩定度必須足夠高,連續測量的波動幅度應小于1mV。
(2)這個測試電流必須足夠小,以免在測試過程中引起芯片溫度變化;但是太小時會引起電壓測量不穩定,有些強光探照燈存在匝流體效應會影響Vf測試的穩定性,所以要求測試電流不小于IV曲線的拐點位置的電流值。
(3)由于測試強光探照燈結溫是在工作條件下進行的,從工作電流(或加熱電流)降到測試電流的過程必須足夠快和穩定,Vf測試的時間也必須足夠短,才能保證測試過程不會引起結溫下降。
在測量瞬態和穩態條件的結溫的基礎上,可以根據下式算出強光探照燈相應的熱阻值:
Rja=△T/P=(Ta-Tj)/P
式中,Ta是系統內參考點的溫度(如基板溫度),Tj是結溫,P是使芯片發熱的功率,對于強光探照燈可以認為就是強光探照燈電功率減去發光功率。由于強光探照燈的封裝方式不同,安裝使用情況不同,對熱阻的定義有差別,測試時需要相應的支架和夾具配套。SEMI的標準中定義了兩種熱阻值,Rja和Rjb,其中:Rja是測量在自然對流或強制對流條件下從芯片接面到大氣中的熱導。
Rja在標準規范的條件下測量,可用于比較不同封裝散熱的情況。
Rjb是指在自然對流以及風洞
大功率強光探照燈封裝都帶基板,絕大部分熱從基板通過散熱板散發,測量強光探照燈熱阻主要是指強光探照燈芯片到基板的熱阻。
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